alamode:フォノンの分散と状態密度
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* Siを例にフォノンの分散と状態密度を計算します。 | * Siを例にフォノンの分散と状態密度を計算します。 | ||
* 計算には超格子の作成が必要です。 | * 計算には超格子の作成が必要です。 | ||
- | * 化合物で見られる極性半導体ではTO-LO分裂というものを考えないといけませんが、それは別のページで解説予定です。 | + | * 化合物で見られる極性半導体ではLO-TO分裂というものを考えないといけませんが、それは別のページで解説します。 |
* 事前に cif2cell をインストールしてください。 | * 事前に cif2cell をインストールしてください。 | ||
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- | ついでに Si_333.thermo に格子の熱力学量(比熱、エントロピー、内部エネルギー、自由エネルギー)の温度依存性も出力されます。 | + | フォノンを自由ボソンとしたときの熱力学量(比熱、エントロピー、内部エネルギー、自由エネルギー)の温度依存性も |
温度の刻みはデフォルトで DT = 10 (K)ですので、より細かく取りたい場合は< | 温度の刻みはデフォルトで DT = 10 (K)ですので、より細かく取りたい場合は< |
alamode/フォノンの分散と状態密度.1625235441.txt.gz · Last modified: 2021/07/02 23:17 by koudai